文章摘要:相比于第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），氧化镓（Ga2O3）具有禁带宽度更大、击穿电场更强、吸收截止边更短、生长成本更低等优点。掺杂是一种高效优化材料物性特征的方法，可以拓宽Ga2O3在不同领域的应用范围。本文对近年来Ga2O3材料的稀土掺杂以及其他元素的掺杂进行了综述，着重分析了稀土掺杂Ga2O3的发光特性。最后，对Ga2O3的稀土离子掺杂和p型掺杂方向进行了展望。
文章关键词:材料,半导体材料,氧化镓,离子掺杂,发光特性,电导率,
项目基金:国家自然科学基金（61974158,61306004）,江苏省自然科学基金（BK20191456）,江苏省“十三五”重点学科（20168765）,江苏省研究生科研与实践创新（KYCX19_2017）,电工技术 网址: http://dgjs.400nongye.com/lunwen/itemid-84648.shtml
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